Электронные свойства дислокации в полупроводниках

Данную книгу можно считать первым в мировой практике изданием, в котором на современном уровне представлены электронные свойства дислокации в полупроводниках Ge и Si и в полупроводниковых соединениях A2B6. Книга выполнена в виде нескольких обзорныхстатей, написанных академиком Ю.А.Осипьяном совместно с его учениками, являющимися ведущими специалистами в области физики дислокации в полупроводниках. В книге проведено систематическое изложение современных данных по влиянию дислокации на электронный энергетический спектр, электрические и оптические характеристики полупроводников. Подробно рассмотрено взаимодействие дислокации с другими дефектами и примесями. Книга предназначена для научных сотрудников и инженеров, специализирующихся вобласти физики твердого тела, а также для преподавателей, аспирантов и студентов соответствующих специальностей.

Авторы , , , , , , , , , ,
Издательство Едиториал УРСС
Язык русский
Год 2000
ISBN 5-8360-0068-9
Тираж 1000
Переплёт Твердый переплет
Количество страниц 320
Тип упаковки Целлофановый конверт
Штрихкод 9785836000684
Мелованная бумага false
Цветные иллюстрации false
Размер упаковки (Длина х Ширина х Высота) , см
Название Электронные свойства дислокации в полупроводниках
Комментарий Под редакцией академика Ю.А.Осипьяна
Тип издания Отдельное издание
Основной жанр книги Научная литература
Направления нехудожественной литературы Физические науки. Астрономия
Тип книги Печатная книга
772
Дата обновления
30 ноября 2019
В других магазинах:
История цены: