Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение

Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы

Проведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития. Приведены основные характеристики элементов микроструктур ИМС, получаемых в процессах ХОГФ, а также технологические характеристики самих процессов и используемых реагентов. Рассмотрены параметры оборудования для реализации процессов ХОГФ и проведен анализ его возможностей, достоинств и недостатков при осаждении функциональных слоев микросхем. Приведены основные электрофизические характеристики осаждаемых пленок. Для инженеров-технологов и научных работников, использующих в своей практической работе химическое осаждение пленок из газовой фазы. Книга может быть полезна также студентам старших курсов, аспирантам и преподавателям ВУЗов.

Авторы ,
Издательство Техносфера
Серия Мир электроники
Язык русский
Год 2006
ISBN 5-94836-039-3 978-5-94836-039-3
Тираж 1500 экз.
Переплёт твердый
Количество страниц 192
Материал научные издания , теории
Длина 145мм
Ширина 215мм
Высота 13мм
Объём 1
Область образования физика, астрономия
Количество томов 1
Формат 60x90/16 (145x215 мм)
359
Нет в наличии
с 6 июля 2020
История цены: